我们所处的这个由永远在线的个人电脑、平板电脑和智能手机构成的世界的诞生,要归功于一个了不起的趋势:金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的不断微型化。MOSFET是大多数集成电路的基础构件,在过去的半个世纪内,其体积已经缩小到了原来的千分之一,从20世纪
在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。 数据表中
近日,国内厂商等纷纷对MOSFET等产品进行了一定的调价。据了解,国内大部分厂商对MOSFET芯片调价幅度维持在10%-20%左右。嵌入式开发 在2017年第四季度,硅晶圆的均价已达至80美元,凭借其凶猛的涨势,预计2018年第一季度将有望达至100美元。其
东芝半导体与储存产品公司研发推出新一代N通道MOSFET 30V及60V系列,皆以U-MOS IX-H沟槽式半导体制程为基础设计,此设计已被使用于降低导通电阻,在各种不同载量下带来最佳效率;同时也可降低输出电容。适用于通信设备、伺服器和Data center
open-drain与push-pull】 GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull)。 对此两种模式,有何区别和联系,下
open-drain与push-pull】 GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull)。 对此两种模式,有何区别和联系,下面
双MOSFET驱动器控制器使用最少用于LLC拓扑结构的外部元件 PCIM 2017 –9号厅 342号展位- 德国纽伦堡–2017年5月16日 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出了先进的同步
消费类电子电路图设计中往往会涉及到4.2V锂离子电池充电电路、及4.2V转3.3V的LDO稳压电路,这里分享一种简单、便宜的设计方案: RT9193 300mA,Ultra-Low Noise,Ultra-Fast CMOS LDO Regulator. <